英特爾在這局“芯戰”中被我國“將”了一軍？

芯師爺|Core master|

2022-10-15 13:18:33 1

近日，英特爾與中科院微電子所的專利訴訟糾紛，在歷經4年多的交鋒后終迎來最新進展：英特爾表示，雙方已簽訂一項保密協議，解決所有未決訴訟，同時表示會獲得一些微電子所專利的許可，并對微電子所剩余專利組合達成一份長期的不起訴約定。

如“企業專利觀察”公眾號所述，至此，這場中、美芯片行業最重磅的一起專利糾紛案，以中科院微電子所專利最終被英特爾認可并獲得許可，而告一段落。

據悉，該項專利名為“半導體器件結構及其制作方法、及半導體鰭制作方法”的FinFET專利。本次專利訴訟糾紛的解決，意味著我國在*集成電路最先進的芯片制造領域正在迎頭趕上，經得起全球科技巨頭的挑戰，面對不正當的手段已掌握了一定的話語權。

中科院微電子與英特爾六次交鋒均獲勝

早在2018年，中科院微電子所就指控英特爾（中國）有限公司的酷睿（Core）系列處理器侵犯了其名為“半導體器件結構及其制作方法、及半導體鰭制作方法”的FinFET專利，要求英特爾賠償至少2億元，同時請求法院對“酷睿”產品實施禁售。

此后，針對中科院微電子所的這項FinFET專利，英特爾曾在中國、美國兩地至少試圖6次申請無效宣告請求。因為按照英特爾的計劃，如果能夠在各大市場中成功申請將中科院微電子所的專利無效化，就可以擺脫侵犯專利的嫌疑，自己非但不用賠償，還能夠繼續沿用這類技術進行盈利。

不過，每次申請無效都以英特爾失敗告終，由此可見，中科院微電子所在FinFET領域專利實力非常雄厚。

國外專利咨詢公司LexInnova也曾在2015年進行的FinFET領域專利調查研究中顯示，中科院微電子所專利申請數量在該領域排名第11位，也是中國大陸*進入前20位的企業，但是其專利質量卻能夠穩壓英特爾等巨頭，成為**。

中科院微電子，為何能憑借

FinFET專利“將”英特爾一軍

上個世紀末，半導體工藝進化之路曾一度面臨停滯，摩爾定律遭受威脅，直到一位華人教授胡正明帶領團隊發明出「FinFET晶體管技術」，使得摩爾定律延壽了數十年。

FinFET技術成功地推動了從22nm到5nm等數代半導體工藝的發展，成為全球主流晶圓廠的“不二”之選。中科院微電子所也曾自己對涉訴專利有過評價，其重要性程度不言而喻：

涉案專利涉及當今最先進的晶體管器件的關鍵結構和核心工藝。該專利是在“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”*科技重大專項（02專項）的支持下，圍繞集成電路先進制造技術進行布局的若干專利組合中的核心專利之一，能夠有效提升芯片集成度并降低制造成本。

簡單來說，這個專利技術主要涉及半導體器件結構及其制造方法，包括半導體襯底、位于半導體襯底的鰭結構上方的柵極結構、位于柵極結構下方的鰭結構的溝道部分，以及設置在半導體襯底上方并且與溝道部分接觸的至少一個外延區等等。這一專利如今普遍應用于芯片行業，對于國內而言，也是開拓芯片市場的一大利器。

行業內最早實現FinFET商業化應用的是Intel公司，英特爾率先于2011年推出了商業化的FinFET工藝技術，將FinFET技術應用到了自家的22nm制程工藝上，顯著提高了性能并降低了功耗，之后臺積電，韓國的現代和三星等相繼在16納米到10納米的節點上推出了鰭式場效應晶體管產品，使得FinFET大放異彩。

中科院微電子前身為原中國科學院109廠，其所在FinFET的研發上位居國際前沿，且多數專家都有國際巨頭半導體企業的從業經歷。

FinFET與傳統平面FET的區別主要在“鰭”上，因此對“鰭”的后續改進，就成為各家爭奪的焦點，中科院微電子所正是在“鰭”的創新上投入了大量的基礎性研究，有超過一多半的專利都是圍繞“鰭”在研發，所研發的FinFET技術比較接近基本原理，有充足的潛力去支持前端開發，因此專利和科研成果之間的轉化也就相對容易。

公開信息顯示，微電子所專利數量和質量都非常可觀。截至目前，微電子所圍繞集成電路、高可靠器件與電路、物聯網等領域已經提交中國專利申請5000余件，國外專利申請500余件，轉讓專利158件，達成專利許可1505件。

這些都是英特爾都很難具備對抗的實力。

寫在最后

綜上所述，中科院微電子所占據的優勢并不是經營規模多雄厚，資金實力多強大，而是在它擁有的業界知名專家，并且這些專家一直勤勤懇懇、兢兢業業，這其中不少人在面臨改革開放對我國芯片產業造成的沖擊時，也依然選擇堅持下來，仔細研究，如此才獲得高質量的專利產出，掌握了過硬的技術專利，才使得微電子所在應對英特爾時，一直處于優勢。

中國芯片需要耐心、長期主義、需要腳踏實地，也希望我們*能擁有更這樣的從業者！

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