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群芯微電子：提高光耦工作頻率，解決國產化替代技術難題

群芯微電子：提高光耦工作頻率，解決國產化替代技術難題

芯師爺|Core master|

2022-03-10 11:29:44 7

由芯師爺主辦的“2021 硬核中國芯”評選活動火熱進行中，百余家國產芯企業(yè)報名參評，200余款產品將與廣大電子工程師集中見面。

現(xiàn)以“云展覽”的方式為您*展示中國芯產品及企業(yè)，同時請您為中國芯的前進投下寶貴的一票！

企業(yè)介紹

寧波群芯微電子有限責任公司成立于2018年7月，位于寧波杭州灣新區(qū)。群芯微電子的團隊成員來自于國內外大型半導體公司，有著近三十年集成電路設計、制造和應用的經驗。其主要產品光電耦合器包括晶體管光耦、高速光耦、可控硅光耦、門驅動光耦和光繼電器等，是國內提供光耦產品種類最為豐富的企業(yè)，特別是其核心產品：QX7723高速光耦；QX7840光電耦合模擬隔離放大器；QX3120柵極驅動光耦，性能已達到國際先進水平。

產品介紹

產品一：QX7723高速光電耦合器

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①產品性能：

（1）集成CMOS輸入兼容高速LED驅動芯片;

（2）集成高速光敏混合集成電路芯片;

（3）光電耦合瞬態(tài)共模抑制技術;

（4）多通道抗光電干擾及多通道一致性技術

（5）多芯片超小、超薄的封裝高可靠性

其產品參數(shù)如下：

（1）數(shù)據(jù)傳輸速率：50MBd

（2）供電電壓：3V～5.5V

（3）工作溫度：-40 ～ 85℃

（4）傳播延遲時間：20ns (max)

（5）脈寬失真：8ns (max)

（6）隔離電壓：5000 Vrms (min)

②價格競爭力：

比進品同型號光耦*三分之一。

③技術創(chuàng)新：

QX7723高速光電耦合器具有三個核心部件：高速紅外發(fā)光二極管芯片、高速紅外發(fā)光二極管驅動芯片和高速光敏接收器集成電路芯片，其中的高速光敏接收集成電路芯片，是一種把光敏接收器件和高速信號處理集成電路設計在一個芯片上的光敏器件和集成電路一體化的集成器件。高速光電耦合器的封裝采用專用光耦平面工藝技術，傳輸速度：≥50MBd以上，高共模抑制比：Vcm=50V/1000V，30KV/μs，提高共模抑制比則提供了瞬變免疫性噪聲抑制、EMI，并且消除了接地環(huán)路。

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QX7723功能框圖

④客戶服務：

廣泛應用于消費電子、通訊、工業(yè)控制、電力、醫(yī)療、汽車電子、航空航天等領域。

⑤應用案例介紹：

高速光電耦合器應用范圍廣泛，如：線路接收器隔離；電腦-外圍電路界面；微處理器系統(tǒng)界面；A/D，D/A轉換的數(shù)據(jù)隔離；開關電源；儀器的輸入/輸出隔離；消除噪聲接地回路；替代脈沖變壓器；馬達驅動器中的高壓三極管隔離；高速邏輯系統(tǒng)的隔離。

產品二：QX7840光電耦合器

①產品性能：

1）QX7840的主要性能：

(1)集成Σ? ADC、編碼及高速LED驅動芯片;

(2)集成高速光敏信號檢測及解碼混合集成電路芯片;

(3)多芯片DIP8/寬體SO8封裝的高可靠性設計；

(4)高線性的差分輸出電壓；

(5)光耦高瞬態(tài)共模抑制技術。

2）QX7840主要技術指標：

(1)輸入/輸出電源電壓VDD1/VDD2：4.5V~5.5V

(2)輸入失調電壓VOS：–3.0~+3.0mV

(3)增益G：8.0V/V

(4)輸入電壓VIN+，VIN–：–200mV~+200mV

(5)200 mV非線性NL200：0.4%

(6)100 mV非線性NL100：0.2%

(7)輸出共模電壓VOCM：2.5V

(8)工作溫度：-40~+85℃

(9)共模抑制CMR：15kV/µs

②價格競爭力：

比進品同型號光耦*三分之一。

③技術創(chuàng)新：

QX7840隔離放大器，采用8PIN DIP封裝，是一款可用來檢測電流/電壓的光電耦合器，非常合適馬達相位和軌電流檢測、逆變器電流檢測，是傳統(tǒng)電流傳感器的替代品。相比傳統(tǒng)的霍爾效應電流傳感器，QX7840不受外部磁場影響，線性好，CMR高，體積小，成本低等優(yōu)點。下圖為功能框圖，2、3腳采樣信號輸入，6、7腳差分輸出。

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QX7840功能框圖

內部工作過程：輸入信號經Σ-Δ調制器轉換成高速串行比特流，然后經過編碼器進行編碼，進行模數(shù)轉換，然后驅動LED將信號傳送到輸出端，輸出端講信號進行解碼數(shù)模轉換后輸出。

④客戶服務：

廣泛應用于消費電子、通訊、工業(yè)控制、電力、醫(yī)療、汽車電子、航空航天等領域。

⑤應用案例介紹：

QX7840光電耦合器適用于伺服電機驅動和光伏逆變器等。

產品三：QX3120/QXW341柵極驅動光電耦合器

①產品性能：

1）產品主要性能

（1）0.6A～2.5A IGBT/MOSFET柵極驅動芯片

（2）集成光敏輸入驅動芯片

（3）光電耦合瞬態(tài)共模抑制技術

（4）多芯片超小、超薄的封裝高可靠性

（5）大功率超高工作絕緣電壓（15mm SSO8）封裝

（6）帶欠壓鎖定（UVLO）保護

2）產品主要技術指標：

（1）峰值輸出電流：0.6A～2.5A

（2）輸出工作電壓范圍: 15～30V/ 10～30V

（3）輸出上升沿時間（常溫） ≤400ns

（4）輸出下降沿時間（常溫） ≤400ns

（5）工作絕緣電壓：630V-2262V

②價格競爭力：

比進品同型號光耦*三分之一。

③技術創(chuàng)新：

QX3120/QXW341柵極驅動光電耦合器包含AlGaAs LED，光耦合到具有功率輸出級的集成電路。此柵極驅動光電耦合器非常適合驅動 IGBT 和用于電機控制逆變器應用的MOSFET，輸出級的高工作電壓范圍提供門控器件所需的驅動電壓，提供的電壓和*值輸出電流使其非常適合直接驅動IGBT，柵極驅動器額定電壓高達1200V / 100A。對于額定值較高的IGBT，產品可用于驅動IGBT的分立功率級門。功能框圖如下。

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