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產品名稱：低壓MOS管IRLML6401
IRLML6401是一種P溝道低壓MOS管，具有30V漏源電壓（Vdss）和4.2A連續漏極電流（Id）。此外，它還具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的導通電阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的條件下。閾值電壓（Vgs(th)@Id）為10V。
該器件采用SOT-23封裝，具有小尺寸和高性能，適合在低壓應用中使用。
特點：
- 高效率：具有低導通電阻和低閾值電壓，能夠減少功率損耗和熱量產生。
- 低壓操作：30V漏源電壓和10V閾值電壓，適用于低壓應用。
- 高穩定性：具有穩定的電氣特性和封裝，保證長期可靠性。
- 小封裝：采用SOT-23封裝，具有小尺寸和高性能，適合在高密度PCB設計中使用。
應用：
IRLML6401適用于低壓開關電源、電機驅動器、DC/DC轉換器、LED照明、電池保護和其他低壓應用。
注意事項：
- 在使用前請仔細閱讀產品規格書，并按照規定的條件進行使用。
- 使用時請注意防靜電，以避免器件損壞。
- 器件熱量較大，使用時請注意散熱。
關于薩科微 Slkor：
薩科微 Slkor是一家致力于提供高品質、高性能半導體器件的制造商，擁有先進的技術和嚴格的質量控制體系，為客戶的設計提供最佳的解決方案和支持。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| IRLML6401.pdf | IRLML6401 | - |
支持
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Longevity
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低漏源電壓：20V 連續漏極電流：2.8A 小尺寸封裝：SOT-23 導通電阻：112mΩ@4.5V,2.8A 閾值電壓：1V@250μA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):25V 連續漏極電流(Id):0.22A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封裝：SOT-23
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-20V 連續漏極電流(Id):-1.3A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封裝：SOT-23
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):20V 連續漏極電流(Id):2A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封裝：SOT-23
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：50V 連續漏極電流(Id)：3A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss)：30V 連續漏極電流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):30V 連續漏極電流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):20V 連續漏極電流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
