欧美精品在线看,人人超碰人人爱超碰国产,久青青视频在线观看久

377p人体粉嫩胞高清视频,√天堂资源地址在线官网,不卡日本视频,av电影网站在线,99久久99久久,欧美疯狂性受xxxxx另类

可控硅的基本工作原理及其在調光器中的應用

可控硅的基本工作原理及其在調光器中的應用 ??可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩個晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，而且是無觸點開關的快速接通或切斷，實現將直流電變成交流電的逆變，把一個頻率的交流電變成另一個頻率的交流電等等。可控硅和其他半導體器件一樣，具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。半導體技術隨著它的出現，已經從弱電領域進入高壓領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事研究、商業和民用電器等領域熱切采用
了解更多
可控硅的兩種觸發方式：移相觸發和過零觸發觸發

可控硅的兩種觸發方式：移相觸發和過零觸發觸發可控硅作為交流元器件的一種，有雙向和單相可控硅，由于雙向可控硅雙向性，因此在正負電源均可以導通，因此經常被用于交流調節負載電路當中，雙向可控硅一般的控制方式過零觸發以及移相觸發兩種。 ??1.過零觸發 ??顧名思義，過零觸發，在過零點時觸發可控硅。因為正負半周，交流電必須在半周內通過零點到達負半周或從負半周到達半周。在一定時間內改變導通周波數來改變可控硅的平均輸出功率，實現調節負載功率的效果。周波數指的是交流電的完全變化，也就是正弦波形
了解更多
霍爾元件在電動車轉把中的應用

霍爾元件在電動車轉把中的應用 ??目前，電動車基本上是每個家庭必不可少的交通工具之一，電動車的安全駕駛也非常重要。隨著科技的發展，各種電動車及配件都采用了新的安全監控技術，尤其適用于霍爾元器件、電流傳感器等傳感器。 ??許多傳感器技術被用于制造電動汽車，以保護我們的出行安全。霍爾元件是一種磁感應傳感器，與傳記車密切相關。通過監測磁場及其變化，可以靈活控制電機。霍爾元素可以用在各種磁場相關的地方。電動汽車可以將霍爾部件用于速度控制手柄、制動手柄、無刷電機等。 ??電動汽車的調速都裝有磁線尺
了解更多
霍爾效應和霍爾元件

霍爾效應和霍爾元件 ??當電流在磁場中流經半導體時，會在與電流成直角的方向上產生電壓(霍爾電壓)。這種現象被稱為霍爾效應。霍爾元件是一種利用霍爾效應的磁探測元件。霍爾元素由InSb（銻化銦）和GaAs（砷化鎵）制成。根據弗萊明右手定則，線圈可以通過磁場的變化產生電動勢。利用這一原理，線圈可以作為傳感器來檢測磁場的變化。然而，即使線圈能夠檢測到變化，它也不具有檢測磁場本身的功能。不管線圈置于多強的磁場中，沒有變化就不會有電動勢。為了檢測無刷DC電機的轉子位置，采用了霍
了解更多
兩個IGBT模塊并聯比一個IGBT有什么優勢？

兩個 IGBT模塊并聯比一個 IGBT有什么優勢？ ??并聯使用IGBT有以下幾個原因： ??*：需求降低成本。以兩點平為例，直接購買賽米控等廠商的成品模塊固然可提高產品穩定性，但相應的成本增加超出了普通公司的承受能力。使用多模塊并聯可以明顯降低成本。一般電流越大，IGBT價格越高，可供選擇的供應商越少，價格居高不下。相反，低電流IGBT的廠家很多，量產時間長，價格低。 ??第二：避免*供應商或增加采購渠道。 ??第三：與IGBT匹配的：驅動器可能不支持大功率穩定運行，或者開發者習慣
了解更多
IGBT模塊有哪些功能？

IGBT模塊有哪些功能？ ?? IGBT電源模塊由IC、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅動，從復合電源模塊PIM發展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發展，產品等級為1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車的VVVF變頻器。平面低電感封裝技術是PEBB以大電流IGBT模塊為有源器件，用于艦船上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒陶瓷多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低
了解更多
IGBT單管與IGBT模塊的區別

IGBT單管與 IGBT模塊的區別 ??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進和升級。它們的應用領域基本相同。但是，由于集成了各種驅動和保護電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶。隨著新包裝技術的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應用領域。 ??IGBT電源模塊由IC、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅動，從復合電源模塊PIM發展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發展，產品等級為1200—18
了解更多
可控硅擊穿的三個主要原因?

可控硅擊穿的三個主要原因 ??1.過壓擊穿： ??過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一。可控硅幾乎沒有時間承受過電壓，即使在幾毫秒內，過電壓也會被擊穿。因此，在實際應用電路中，可控硅兩端必須連接RC 收回路，以避免各種不規則干擾脈沖引起的瞬時過電壓。如果晶閘管經常發生故障，請檢查收回路的部件是否燒壞或失效。 ??2.過流和過熱擊穿： ??其實過流擊穿和過熱擊穿是一回事。過流擊穿是指當電流通過可控硅芯片時，在芯片內部產生熱效應，使芯片溫度升高。當芯片溫度達到175時，芯片就會失效，無法恢
了解更多
為什么SiC器件不能取代IGBT？

為什么SiC器件不能取代 IGBT？ ??碳化硅(SiC)器件的生產工藝和技術日趨成熟，目前市場推廣的最大障礙是成本。包括研發和生產成本，以及應用中碳化硅器件替代 IGBT后，整個電路中驅動電容電阻的成本。除非廠家推，而且真的可以降低成本，提高性能。畢竟，采用新事物會花費很多。由于制造成本和產品良率的影響，目前阻礙SiC產品大規模進入市場的主要原因是價格偏高，一般是同類Si產品的10倍左右。雖然未來碳化硅(SiC)器件以技術進步和成本降低取代IGBT是必然的，性能可能很強，但真正能成為大勢所趨的不僅僅是
了解更多
常用的IGBT緩沖電路有哪些？

常用的 IGBT緩沖電路有哪些？ ??由于電力電子器件具有on、on、關斷和off四種工作狀態，因此off和on狀態分別承受高電壓和大電流，而在on和關斷，過程中，開關器件可能同時承受過壓和過流、過大的di/dt、du/dt和過大的瞬時功率。因此，為了防止器件由于高電壓和高電流而損壞，在電路中增加了緩沖電路。關斷緩沖電路吸收器件的關斷過壓和換相過壓，抑制du/dt并降低關斷損耗。導通緩沖電路抑制器件導通時的電流過沖和di/dt，降低器件的導通損耗。 ??在現代生活中， IGBT作為一種完全可
了解更多