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外延生長的基礎與應用

老虎說芯|Tiger Chip|

2024-09-21 16:52:49 1009

在半導體和光電子產業的發展中，材料生長技術扮演了關鍵角色。無論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發光二極管（LED），這些現代電子設備都依賴于半導體材料的制備。而外延生長技術正是其中重要的一環，它幫助我們在晶體襯底上精確地構建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。

無論是化學氣相沉積（CVD）還是分子束外延（MBE），每一種技術都有其獨特的應用場景。外延生長技術的未來充滿了機遇，它將繼續為新材料和新器件的開發提供支持，引領半導體行業的持續創新。

1|什么是外延生長？

外延生長的概念最早由Royer于1928年提出，它源于希臘語，意思是“放在上面”。簡單來說，外延生長指的是在一塊晶體襯底上有序地生長另一層晶體材料。在這個過程中，新材料層會與襯底的晶格保持一定的對齊關系，這種對齊可以理解為就像在一塊拼圖板上拼接另一塊相似的拼圖。

外延生長的關鍵在于晶格失配，即新材料層與襯底晶體在晶格結構上的匹配度。如果新材料的晶格與襯底的晶格非常接近，那么外延層可以與襯底很好地對齊；而如果晶格失配較大，則會影響生長的質量和性能。在外延過程中，還要考慮到表面自由能，這就像水滴在不同表面上的表現一樣：有時水滴會鋪展開（如在玻璃上），有時則會形成球狀（如在荷葉上）。外延生長的不同模式也和這種“鋪展”現象類似。

2、三種主要的外延生長模式

外延生長可以大致分為三種模式：逐層生長、成核生長和S-K生長模式。它們的差異主要在于晶體層如何在襯底上鋪展。

①逐層生長模式

逐層生長模式，也被稱為“Frank-Van-Der-Merwe生長模式”，就像是我們在造房子時，一磚一瓦地往上搭建。在這種生長模式下，原子一層一層地排列在襯底表面上，形成一個完整的單原子層。之后，再開始生長下一層。雖然在實際操作中，很難做到每一層都完全覆蓋，但整體上這種模式仍然是一種二維的生長方式。

這種模式通常適用于晶格匹配較好的材料系統，如硅在硅上的生長（Si/Si）或砷化鎵在砷化鎵上的生長（GaAs/GaAs）。為實現真正的逐層生長，科學家們發展了如遷移增強外延（MEE）和原子層外延（ALE）等技術。通過控制原子的擴散路徑，使得原子能夠找到合適的成核點，從而更好地控制生長過程，特別是在厚度要求達到原子級別時，這些技術尤為重要。

②成核生長模式

與逐層生長模式不同，成核生長模式（Volmer-Weber生長模式）更像是在不規則表面上“撒”一些種子，然后這些種子逐漸生長，形成獨立的“小島”。這些小島隨著時間的推移變大，最后合并成一個完整的外延層。

這種生長模式通常出現在晶格失配較大或化學不兼容的材料系統中，比如氮化鎵（GaN）在藍寶石或硅碳化物（SiC）襯底上的生長。科學家們通過開發各種技術，如順應基板工程，來解決這些問題，使得異質外延成為可能。成核生長就像是將多個小塊拼圖逐漸組合起來，最終形成一幅完整的圖畫。

③S-K生長模式

S-K生長模式（Stranski-Krastanov生長模式）則結合了前兩者的特點。它的初始階段是逐層生長，但隨著外延層厚度的增加，總體表面自由能增大，逐層生長模式會被打破，開始形成三維的小島。

這種模式適用于晶格失配較低的系統，比如硅鍺合金（SiGe）在硅上的生長（SiGe/Si），或者銦鎵砷（GaInAs）在砷化鎵上的生長（GaInAs/GaAs）。可以把這種模式理解為一開始我們像蓋房子一樣一磚一瓦地建造，但隨著房子變高，我們需要在房頂上添加一些裝飾小島來增加美觀。

3、外延生長的技術與設備

在半導體產業中，外延生長的主要技術包括化學氣相沉積（CVD）和分子束外延（MBE）。這些技術可以幫助我們在襯底上生長出高質量的半導體層，并控制材料的厚度、成分和結構。

①化學氣相沉積（CVD）

CVD是一種利用氣態化學反應來在襯底上沉積材料的技術。簡單來說，氣態的化學物質會被引入反應室，然后在高溫下分解并沉積在襯底上，形成外延層。CVD具有非常高的靈活性，可以用于各種不同的材料系統。

其中的一種變體，金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD），被廣泛應用于砷化物、磷化物和氮化物類半導體的生長，例如用于氮化鎵（GaN）LED的生產。可以把CVD比作在平底鍋里煎蛋，氣態的材料像雞蛋液一樣覆蓋在鍋底，經過加熱后，逐漸形成固態薄膜。

②分子束外延（MBE）

與CVD不同，MBE在超高真空環境下進行，利用原子或分子束直接撞擊加熱后的襯底表面，形成外延層。這就像用射箭的方式將原子*地“射”到襯底上。在MBE中，原子束具有彈道特性，它們之間幾乎沒有氣態反應，能夠非常精確地控制外延層的生長。MBE生長系統如下：

MBE的優勢在于能夠實現非常精確的厚度控制，適用于制作一些需要高度*控制的器件，例如量子點激光器或高遷移率晶體管（HEMT）。MBE可以理解為在極其精確的操作下“雕刻”出一層層的材料。MBE外延設備如下：

4、外延生長的應用

外延生長技術的應用范圍非常廣泛，尤其在現代半導體和光電子設備中起著至關重要的作用。例如，基于量子阱結構的激光二極管、光電探測器和高遷移率電子晶體管等器件都離不開外延生長技術。

在高亮度發光二極管（LED）的制造中，外延生長用于在藍寶石或碳化硅襯底上生長氮化鎵（GaN）層，從而實現高效發光。同樣，基于砷化鎵的高速電子器件和光電器件也依賴外延技術，提供了高速、高性能的解決方案。

此外，外延生長技術還用于制備量子點和納米線等新型材料結構，這些材料在未來的量子計算和納米電子學中具有廣闊的應用前景。

5、總結

外延生長技術作為半導體行業的重要基石，推動了電子和光電子器件的發展。從逐層生長到成核生長，再到S-K生長模式，每一種外延生長方式都為解決不同的材料系統問題提供了有力的工具。通過不斷優化外延生長技術，我們能夠制造出更高效、更精密的器件，這不僅滿足了現有的技術需求，也為未來的新興科技提供了無限可能。

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